單項(xiàng)選擇題晶閘管兩端并聯(lián)阻容吸收電路的目的是()。

A.防止電壓尖峰
B.防止電流尖峰
C.產(chǎn)生觸發(fā)脈沖
D.產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)


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1.單項(xiàng)選擇題晶閘管兩端并聯(lián)壓敏電阻的目的是實(shí)現(xiàn)()。

A.防止沖擊電流
B.防止沖擊電壓
C.過(guò)流保護(hù)
D.過(guò)壓保護(hù)

2.單項(xiàng)選擇題晶閘管兩端()的目的是防止電壓尖峰。

A.串聯(lián)小電容
B.并聯(lián)小電容
C.并聯(lián)小電感
D.串聯(lián)小電感

3.單項(xiàng)選擇題晶閘管電路中串入快速熔斷器的目的是()。

A.過(guò)壓保護(hù)
B.過(guò)流保護(hù)
C.過(guò)熱保護(hù)
D.過(guò)冷保護(hù)

4.單項(xiàng)選擇題晶閘管型號(hào)KP20-8中的K表示()。

A.國(guó)家代號(hào)
B.開(kāi)關(guān)
C.快速
D.晶閘管

5.單項(xiàng)選擇題晶體管毫伏表專(zhuān)用輸入電纜線,其屏蔽層、線芯分別是()。

A.信號(hào)線、接地線
B.接地線、信號(hào)線
C.保護(hù)線、信號(hào)線
D.保護(hù)線、接地線

6.單項(xiàng)選擇題晶體管毫伏表最小量程一般為()。

A.10mV
B.1Mv
C.1V
D.0.1V

8.單項(xiàng)選擇題晶體管時(shí)間繼電器按構(gòu)成原理分為()兩類(lèi)

A.電磁式和電動(dòng)式
B.整流式和感應(yīng)式
C.阻容式和數(shù)字式
D.磁電式和電磁式

9.單項(xiàng)選擇題集成運(yùn)放共模抑制比通常在()dB

A.60
B.80
C.80~100
D.100

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電磁繼電器與相應(yīng)固態(tài)繼電器相比,前者()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

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()的主要功能是作為簡(jiǎn)單程序控制中的一種執(zhí)行器件,當(dāng)它接受了啟動(dòng)信號(hào)后開(kāi)始計(jì)時(shí),計(jì)時(shí)結(jié)束后它的工作觸頭進(jìn)行開(kāi)或合的動(dòng)作。

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下列是不屬于繼電器電氣參數(shù)要求的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

欠壓繼電器,當(dāng)電壓()其設(shè)定值時(shí),由于電磁系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁力會(huì)減小,在復(fù)位彈簧的作用下,常開(kāi)觸點(diǎn)斷開(kāi),常閉觸點(diǎn)吸合,從而使控制電路斷電,進(jìn)而控制主電路斷電,保護(hù)用電器在低壓下不被損壞

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

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