A.兩個(gè)均截止
B.兩個(gè)均導(dǎo)通
C.一個(gè)截止
D.一個(gè)導(dǎo)通
E.兩個(gè)均導(dǎo)通或兩個(gè)均截止

A.NMOS
B.PMOS
C.CMOS
D.DMOS
E.SMOS

A.接電源
B.通過(guò)電阻3kΩ接電源
C.接地
D.與有用輸入端并聯(lián)
E.接0V

A.R_C過(guò)大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的高電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
B.R_C過(guò)大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在R_C上產(chǎn)生較大的壓降
C.R_C過(guò)小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較大的灌電流
D.R_C過(guò)小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較小的灌電流
E.R_C很大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降

A.高電平
B.低電平
C.零電平
D.高阻
E.低阻

A.雙極型數(shù)字集成門(mén)電路是以場(chǎng)效應(yīng)管為基本器件構(gòu)成的集成電路
B.TTL邏輯門(mén)電路是以晶體管為基本器件構(gòu)成的集成電路
C.CMOS集成門(mén)電路集成度高，但功耗較高
D.CMOS集成門(mén)電路集成度高，但功耗較低
E.TTL集成門(mén)電路集成度高，但功耗較低

A.ABC
B.A+B+C+D
C.ABCD
D.A/BCD
E.ABD

A.A+A=A
B.A·A=A
C.A+0=0
D.A+1=A
E.AA=2A

A.AB＝BA
B.A+B＝B+A
C.AA＝A
D.AA＝A2
E.A+A＝2A

A.開(kāi)關(guān)的閉合、斷開(kāi)
B.電位的高低
C.真與假
D.電流的有、無(wú)
E.變量的大與小