A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
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A.不可控器件
B.半控器件
C.全控器件
D.復(fù)合型器件
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
A.不可控
B.半控
C.全控
D.復(fù)合型
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
A.GTO和SCR
B.GTR和電力二極管
C.GTR和SCR
D.GTO和GTR
A.GTO
B.GTR
C.P-MOSFET
D.IGBT
最新試題
全加器的輸出信號(hào)是()
本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()
3個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
6進(jìn)制異步清零,最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。