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填空題三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載工作中，共陰極組中處于通態(tài)的晶閘管對(duì)應(yīng)的是（）的相電壓，而共陽(yáng)極組中處于導(dǎo)通的晶閘管對(duì)應(yīng)的是（）的相電壓；這種電路α角的移相范圍是（），u_d波形連續(xù)的條件是（）。

參考答案： 最高；最低；0-120°；α≤60°

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1.填空題三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差（），當(dāng)它帶阻感負(fù)載時(shí)，α的移相范圍為（）。

參考答案：120°；0-90°

2.填空題電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于（），晶閘管控制角α的最大移相范圍是（），使負(fù)載電流連續(xù)的條件為（）（U2為相電壓有效值）。

參考答案：√2U₂；0-150°；α≤30°

3.填空題單相全控橋反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載電路中，當(dāng)控制角α大于不導(dǎo)電角δ時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角θ=（）；當(dāng)控制角α小于不導(dǎo)電角δ時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角θ=（）。

參考答案：π-α-δ；π-2δ

4.填空題單相橋式全控整流電路中，帶純電阻負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為（），單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為（）和（）；帶阻感負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為（），單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為（）和（）；帶反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載時(shí)，欲使電阻上的電流不出現(xiàn)斷續(xù)現(xiàn)象，可在主電路中直流輸出側(cè)串聯(lián)一個(gè)（）。

參考答案：0-180°；√2U₂/2；√2U₂；0-90°；√2U₂；√2U₂；平波電抗器

5.填空題阻感負(fù)載的特點(diǎn)是_流過(guò)電感的電流不能突變，在單相半波可控整流帶阻感負(fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是（），其承受的最大正反向電壓均為（），續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為（）（設(shè)U2為相電壓有效值）。

參考答案：流過(guò)電感的電流不能突變；0-180°；√2U₂；√2U₂

6.填空題電阻負(fù)載的特點(diǎn)是（），在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是（）。

參考答案：電壓和電流成正比且波形相同；0-180°

7.填空題在如下器件：電力二極管（Power Diode）、晶閘管（SCR）、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場(chǎng)效應(yīng)管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是（），屬于半控型器件的是（），屬于全控型器件的是（）；屬于單極型電力電子器件的有（），屬于雙極型器件的有（），屬于復(fù)合型電力電子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作頻率最高的是（），屬于電壓驅(qū)動(dòng)的是電力（）屬于電流驅(qū)動(dòng)的是（）。

參考答案：電力二極管；晶閘管；GTO、GTR、電力MOSFET、IGBT；電力MOSFET；電力二極管、晶閘管、GTO、GTR；I...

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8.填空題IGBT 的開(kāi)啟電壓UGE（th）隨溫度升高而（），開(kāi)關(guān)速度（）電力MOSFET 。

參考答案：略有下降；小于

9.填空題MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對(duì)應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的（）、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的（）、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的（）。

參考答案：截止區(qū)；放大區(qū)；飽和區(qū)

10.填空題晶閘管的基本工作特性可概括為（）。

參考答案：正向電壓門(mén)極有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向電壓則截止

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