單項(xiàng)選擇題G.652光纖波長(zhǎng)區(qū)在1530-1565nm,衰減常數(shù)技術(shù)指標(biāo)()dB/km。
A、0.28
B、0.25
C、0.35
D、0.50
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1.單項(xiàng)選擇題目前高頻開關(guān)整流器采用的高頻功率開關(guān)器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及兩者混合管和()等等。
A、晶閘管
B、可控硅
C、功率集成器件
D、晶體管
2.單項(xiàng)選擇題G.655光纖波長(zhǎng)區(qū)在1530-1565nm,衰減常數(shù)技術(shù)指標(biāo)()dB/km。
A、0.50
B、0.35
C、0.25
D、0.2
3.單項(xiàng)選擇題模塊的限流值應(yīng)該在()Ie之間可以連續(xù)可調(diào)。
A、0%~100%
B、50%~100%
C、30%~110%
4.單項(xiàng)選擇題高頻開關(guān)電源采用脈寬調(diào)制(PWM)方式,其開關(guān)頻率一般在30—500KHz范圍內(nèi),如果開關(guān)頻率再提高,就會(huì)()。
A、對(duì)外發(fā)射,影響通信設(shè)備
B、兩組開關(guān)管來(lái)不及相互轉(zhuǎn)換
C、開關(guān)損耗隨之增加,效率反而下降
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請(qǐng)簡(jiǎn)述EMOS工單的接單時(shí)限,回單時(shí)限及回復(fù)規(guī)范的五要素?()
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