單項選擇題當在半導體的晶體結構上加以壓力,會暫時改變晶體結構的對稱性,因而改變了半導體的導電結構,表現(xiàn)為它的電阻率ρ的變化,這一物理現(xiàn)象稱為()

A、壓電電阻效應
B、光電效應
C、電磁感應
D、霍爾效應


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1.單項選擇題智能式壓力變送器是在原變送器(如電容式、擴散硅式)的基礎上增加()而形成的

A、邏輯電路
B、數字芯片
C、集成電路
D、微處理器

3.單項選擇題電容式差壓變送器將差壓的變化轉換為()量的變化

A、電流
B、電容
C、電阻
D、電壓

6.單項選擇題()壓力是噴嘴—擋板機構的輸出壓力

A、氣阻
B、噴嘴背壓室
C、節(jié)流盲室
D、節(jié)流通室

7.單項選擇題噴嘴—檔板機構噴嘴后的氣容稱為()

A、氣阻
B、噴嘴背壓室
C、節(jié)流盲室
D、節(jié)流通室

8.單項選擇題噴嘴•擋板機構是由恒氣阻、氣容和噴嘴—擋板構成的變氣阻串聯(lián)而成的()

A、氣阻
B、噴嘴背壓室
C、節(jié)流盲室
D、節(jié)流通室

9.單項選擇題由一個變氣阻、一個氣容和一個恒氣阻串聯(lián)而成的組件叫()

A、氣阻
B、噴嘴背壓室
C、節(jié)流盲室
D、節(jié)流通室