A、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)ROM
B、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)ROM
C、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)RAM
D、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM
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A、是用戶(hù)用編程器一次性寫(xiě)入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí),原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定,不允許再改變
A、是用戶(hù)用編程器一次性寫(xiě)入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí),原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定,不允許再改變
A、是用戶(hù)用編程器一次性寫(xiě)入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí),原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定,不允許再改變
A、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器
C、只讀存儲(chǔ)器
D、系統(tǒng)存儲(chǔ)器
A、只讀存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器
C、ROM
D、EPROM
A、只讀存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器
C、RAM
D、程序存儲(chǔ)器
A、處理器
B、寄存器
C、存儲(chǔ)器
D、I/O單元
A、外部單元
B、主機(jī)內(nèi)部其他單元
C、通訊單元
D、I/O單元
A、雙極型位片式微處理器
B、單板機(jī)
C、微計(jì)算機(jī)
D、單片機(jī)
A、雙極型位片式微處理器
B、單板機(jī)
C、微計(jì)算機(jī)
D、單片機(jī)
最新試題
極譜分析溶氧儀讀數(shù)反常地高,無(wú)調(diào)節(jié)能力,分析其原因可能是()
在溶氧分析儀中,一定范圍內(nèi)水樣流速增大,致使()增大,從而使去極化電流增大
氣缸式氣動(dòng)執(zhí)行器用的最多的是快速啟閉閥,它可以手動(dòng)開(kāi)啟/關(guān)閉,也可以到現(xiàn)場(chǎng)按氣動(dòng)按鈕快速開(kāi)啟,它的氣源壓力為()
流量特性在開(kāi)度較小時(shí)就有較大流量,隨著開(kāi)度的增大,流量很快就達(dá)到最大,此后再增加開(kāi)度,流量變化很小,此特性稱(chēng)為()
管線敷設(shè)時(shí)應(yīng)進(jìn)行一次全面的檢查,信號(hào)管線需做()試驗(yàn)即可
作為直接控制用的電磁閥多用在操作不方便處的排污或放空,這時(shí)電磁閥直接接在工藝管道上,一般為()左右
示波器在使用時(shí)屏幕上沒(méi)有任何信號(hào)可能的原因有()
()填料是一種新型調(diào)節(jié)閥填料,具有密封性好、潤(rùn)滑性好、化學(xué)惰性強(qiáng)、耐磨性、耐高低溫等優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是摩擦力大。
智能閥門(mén)定位器有替換的功能模塊,但不可以實(shí)現(xiàn)的功能是()
介質(zhì)中含有懸浮顆粒,并且黏度較高,要求泄漏量小應(yīng)選用下列哪種閥門(mén)()比較合適