A、保留時(shí)間
B、保留體積
C、半峰寬
D、峰面積
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A、熱導(dǎo)池
B、氫火焰離子化
C、電子捕獲
D、火焰光度
A、貯液器
B、輸液泵
C、檢測(cè)器
D、溫控裝置
A、渦流擴(kuò)散項(xiàng)
B、渦流擴(kuò)散項(xiàng)和縱向擴(kuò)散
C、縱向擴(kuò)散項(xiàng)
D、縱向擴(kuò)散項(xiàng)和傳質(zhì)阻力項(xiàng)
E、傳質(zhì)阻力項(xiàng)
A、紫外檢測(cè)器
B、熒光檢測(cè)器
C、蒸發(fā)光散射檢測(cè)器
D、電化學(xué)檢測(cè)器
A、被吸附得牢固
B、在流動(dòng)相中濃度低
C、移動(dòng)速度慢
D、移動(dòng)速度快
E、在柱內(nèi)保留時(shí)間長(zhǎng)
A、峰面積比例增大
B、峰高比例增高
C、半峰寬比例增大
D、響應(yīng)值增大
A、100:1.1
B、100:2.2
C、100:3.3
D、100:4.4
A、質(zhì)荷比最低的正離子
B、質(zhì)量最高的負(fù)離子
C、質(zhì)荷比最高的正離子
D、質(zhì)量最低的負(fù)離子
A、固定相的種類
B、柱溫
C、流動(dòng)相的種類
D、分配比
A、±10%
B、±8%
C、±5%
D、±3%
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