A.電擊穿
B.熱擊穿
C.化學(xué)擊穿
D.老化擊穿
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A.碰撞
B.分離
C.碰撞游離
D.高溫
A.防雷
B.均壓
C.接地
D.保護(hù)接零
A.范圍
B.保護(hù)長度
C.保護(hù)區(qū)
D.保護(hù)半徑
A.伏秒特性與被保護(hù)設(shè)備伏秒特性
B.伏秒特性與被保護(hù)設(shè)備的額定電壓
C.與被保護(hù)設(shè)備的絕緣
D.與被保護(hù)設(shè)備的容量
A.大于
B.等于
C.小于
D.小于等于
A.100KA
B.150KA
C.200KA
D.250KA
A.時(shí)間
B.速度
C.速率
D.頻率
A.雷電流幅值和波頭陡度
B.雷電流波頭
C.雷電流幅度
D.接地電阻
A.A/s
B.KA/s
C.KA/μs
D.A/μs
A.感應(yīng)過電壓
B.外部過電壓
C.靜電過電壓
D.內(nèi)部過電壓
最新試題
控制開關(guān)的手柄有6個(gè)位置。
因系統(tǒng)故障,使電源線路對側(cè)跳閘,造成電源中斷時(shí),不會(huì)引起站用交流電壓消失。
采用硅整流裝置作操作電源,缺點(diǎn)是不能獨(dú)立使用,需加裝補(bǔ)償電容、自投裝置、逆止閥等附件。
直流回路熔斷器質(zhì)量不合格,接觸不良,可導(dǎo)致直流電壓消失。
電流互感器的比值差主要是由鐵芯的材料和結(jié)構(gòu)來決定的。
運(yùn)行中三相五柱式電壓互感器的密封圈應(yīng)取下,放氣孔應(yīng)開啟。
通信設(shè)備故障或中斷通信,屬于緊急缺陷。
直流電壓消失后,在操作時(shí)或系統(tǒng)發(fā)生故障時(shí),不影響控制回路的正常動(dòng)作。
由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高,在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí),有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。
若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線,由于提高了充電電壓,電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。