在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）