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填空題電感上的電流不能實(shí)變，此電流落后于電感兩端電壓（）º.

1.填空題VHDL的含義是甚高速集成電路描述語言，其主要作用是（）和硬件實(shí)現(xiàn)。

2.填空題用7812等元器件制成串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源，則7812輸入的電壓大約為（）伏，變壓器次級(jí)的交流電壓大約為（）伏。

3.填空題采用軟件去按鍵抖動(dòng)影響的辦法是在檢測到有鍵位按下時(shí)，執(zhí)行一個(gè)10ms的延時(shí)子程序，之后再確認(rèn)該鍵電平（）。

4.填空題（48.95）₁₀的BCD碼為（）。

5.填空題 完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換：（1000）₁₀=（3E8）₁₆=（）。

（001111101000）₂

6.填空題BJT放大器中，放大管的β值為常數(shù)的條件是在低頻條件下（fβ）、（）。

7.填空題在數(shù)字電路中，A、B、C三個(gè)變量所組成的最小項(xiàng)共有（）個(gè)，所組成的最大項(xiàng)共有（）個(gè)。

8.填空題在共e、共b、共c三類放大器中，通頻帶最寬的是共b、共c放大器，通頻帶最窄的是（）放大器。

9.單項(xiàng)選擇題示波器正常，但打開電源后，看不到掃描線或亮點(diǎn)，其可能的原因有（）

A、Y軸衰減過大或過小
B、掃描周期過長或過短
C、上下位移調(diào)節(jié)不當(dāng)
D、觸發(fā)掃描旋轉(zhuǎn)位置不當(dāng)

10.單項(xiàng)選擇題SRAM和DRAM均為RAM存儲(chǔ)器，二者的容量與讀寫速度為（）

A、SRAM有極高的讀寫速度及大容量
B、DRAM有極高的讀寫速度及大容量
C、SRAM有極高的讀寫速度，DRAM有更大的容量
D、DRAM有極高的讀寫速度，SRAM有更大的容量