單項(xiàng)選擇題BJT管作放大時(shí)的輸入電阻與輸出電阻為（）

A、均很小
B、均很大
C、前者較小，后者很大
D、前者很大、后者很小


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2.單項(xiàng)選擇題標(biāo)稱(chēng)為51R、473的電阻器，其電阻值應(yīng)分別為（）

A、51Ω、473Ω
B、5.1Ω、473Ω
C、51Ω、47kΩ
D、5.1Ω、47kΩ

3.單項(xiàng)選擇題標(biāo)稱(chēng)為2p2、103的電容器其容量應(yīng)分別為（）

A、2.2pF、10000pF
B、22pF、10000pF
C、2.2pF、100000pF
D、22pF、100000pF

4.單項(xiàng)選擇題電阻上電壓與電流間的相位關(guān)系，電容上電壓與電流間的相位關(guān)系為（）

A、電壓與電流均同相，無(wú)相位差
B、電壓與電流均反相，相位差為180º
C、電阻上的電壓與電流同相，電容上電流超前于電壓90º
D、電阻上的電壓與電流同相，電容上電流落后于電壓90º

6.單項(xiàng)選擇題頻率穩(wěn)定性能最好，頻率范圍最寬的正弦波振蕩器為（）

A.DDS振蕩器
B.石英晶體振蕩器
C.RC振蕩器
D.LC振蕩器

7.單項(xiàng)選擇題一示波器，X、Y軸同時(shí)加入同頻同相的正弦波信號(hào)，且X、Y軸置于相同靈敏度時(shí)，所顯示的圖形為（）

A.為一垂直亮線(xiàn)
B.為一45°的斜線(xiàn)
C.為一橢圓
D.為一圓

8.單項(xiàng)選擇題電路中，為防止干擾的竄入，與門(mén)、或門(mén)的多余輸入端通常應(yīng)作如下處理（）

A.均接高電平1
B.均接低電平0
C.前者接高電平1，后者接低電平0
D.前者接低電平0，后者接高電平1

9.單項(xiàng)選擇題供電電壓相同時(shí)，CMOS電路與TTL電路輸出的高電平與低電平的情況為（）

A.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平高，低電平比TTL輸出的低電平低
B.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平高，低電平比TTL輸出的低電平高
C.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平低，低電平比TTL輸出的低電平低
D.CMOS的輸出高電平比TTL的輸出高電平低，低電平比TTL輸出的低電平高