單項(xiàng)選擇題在義齒基托覆蓋區(qū)內(nèi)，不需要緩沖模型的部位是（）。

A.上頜腭隆突區(qū)
B.下頜舌隆突
C.下頜舌骨嵴區(qū)
D.上頜結(jié)節(jié)
E.下頜舌側(cè)翼緣區(qū)


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2.單項(xiàng)選擇題采用正硅酸乙酯包埋料包埋，其最佳粉液比為（）。

A.3：1
B.1：1
C.4：1
D.3：2
E.5：1

3.單項(xiàng)選擇題配制石膏、石英系外包埋料，石膏與石英砂的最佳比例是（）。

A.1：1
B.4：1
C.1：2
D.1：3
E.1：4

5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)烘烤鑄圈的溫度升至400℃時(shí)，尚需維持（）。

A.10min
B.30min
C.5min
D.1h
E.2h

6.單項(xiàng)選擇題熔模在鑄圈內(nèi)距離圈的內(nèi)壁、圈的頂端的要求正確的是（）。

A.距內(nèi)壁至少3～5mm，頂端8～10mm
B.距內(nèi)壁至少3～5mm，頂端3～5mm
C.距內(nèi)壁至少8～10mm，頂端3～5mm
D.距內(nèi)壁至少1～2mm，頂端3～5mm
E.距內(nèi)壁至少3～5mm，頂端1～2mm

7.單項(xiàng)選擇題彎制卡環(huán)的連接體應(yīng)保持離開(kāi)組織面約多少為宜（）。

A.0.5mm
B.0.1mm
C.0.2mm
D.越多越好
E.1.5～2.0mm

8.單項(xiàng)選擇題在鑄造支架的組成部分中，起連接人工牙的部分是（）。

A.大連接體
B.網(wǎng)狀連接體
C.支架支點(diǎn)
D.鄰面板
E.支托

9.單項(xiàng)選擇題為避開(kāi)鑄造熱中心，熔模應(yīng)位于鑄圈靠近頂端的（）。

A.2/5的高度內(nèi)
B.1/2的高度內(nèi)
C.2/3的高度內(nèi)
D.1/5的高度內(nèi)
E.離頂端越近越好

10.單項(xiàng)選擇題RPI卡環(huán)的最佳適應(yīng)證是（）。

A.多個(gè)前牙缺失，且前牙組織倒凹較大的患者
B.缺隙前后都有基牙且缺隙處組織倒凹較大者
C.單個(gè)前牙缺失患者
D.遠(yuǎn)中游離缺失，且無(wú)組織倒凹者
E.遠(yuǎn)中游離缺失，且組織倒凹較大者