A.非晶硒
B.非晶硅
C.光激勵(lì)熒光體
D.光電倍增管
E.CCD
您可能感興趣的試卷
- 放射醫(yī)學(xué)技術(shù)(技師)專(zhuān)業(yè)知識(shí)提分試卷一
- 放射醫(yī)學(xué)技術(shù)(技師)專(zhuān)業(yè)知識(shí)考前預(yù)測(cè)試卷一
- 放射醫(yī)學(xué)技術(shù)(技師)專(zhuān)業(yè)知識(shí)考前預(yù)測(cè)試卷二
- 放射醫(yī)學(xué)技術(shù)(師)專(zhuān)業(yè)知識(shí)提分密卷一
- 放射醫(yī)學(xué)技術(shù)(師)專(zhuān)業(yè)知識(shí)提分密卷二
- 放射醫(yī)學(xué)技術(shù)(師)專(zhuān)業(yè)知識(shí)提分密卷三
- 放射技師專(zhuān)業(yè)知識(shí)考前沖刺二
你可能感興趣的試題
A.CCD相機(jī)
B.非晶硅
C.非晶硒
D.光電二極管
E.閃爍體
A.影像板
B.平板探測(cè)器
C.光敏照相機(jī)
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
A.1:102
B.1:103
C.1:104
D.1:105
E.1:106
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
A.1分鐘
B.1小時(shí)
C.8小時(shí)
D.12小時(shí)
E.24小時(shí)
A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm
A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫(xiě)
D.使用清水沖洗
E.使用強(qiáng)光照射消除數(shù)據(jù)
最新試題
數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)()
關(guān)于CR的敘述,哪項(xiàng)不正確()
CR圖像與X線成像比較,哪項(xiàng)表述不正確()
CR與DR系統(tǒng)應(yīng)用比較,相同點(diǎn)是()
CR的圖像處理功能,不包括()
CR的缺點(diǎn)有()
DR探測(cè)器可用的是()
DR使用的檢測(cè)裝置是()
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是()
在CR的四象限理論中,對(duì)圖像進(jìn)行放大處理,對(duì)應(yīng)在()