單項(xiàng)選擇題應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是（）

A.硒鼓檢測(cè)器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.多絲正比室檢測(cè)器


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1.單項(xiàng)選擇題CR與DR系統(tǒng)應(yīng)用比較，相同點(diǎn)是（）

A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配

2.單項(xiàng)選擇題屏／片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X線攝影的共同之處是（）

A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于平板探測(cè)器的敘述，錯(cuò)誤的是（）

A.有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型
B.其極限分辨率比屏／片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏／片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏／片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于CR的工作原理，正確的是（）

A.IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成
B.IP由基層、晶體層構(gòu)成
C.IP用于檢測(cè)圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)

6.單項(xiàng)選擇題多絲正比電離室探測(cè)器是（）

A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器

7.單項(xiàng)選擇題DR相比于CR（）

A.成像時(shí)間短
B.X線利用效率高
C.圖像質(zhì)量好
D.系統(tǒng)成本高
E.以上都是

8.單項(xiàng)選擇題間接FPD的信號(hào)轉(zhuǎn)化過程是（）

A.X線-電信號(hào)-數(shù)字圖像
B.X線-可見光-電信號(hào)-數(shù)字圖像
C.X線-可見光-電信號(hào)-模擬圖像
D.X線-電信號(hào)-熒光屏-模擬圖像
E.X線-電信號(hào)-熒光屏-數(shù)字圖像

9.單項(xiàng)選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無電離輻射

10.單項(xiàng)選擇題FPD可用于DSA的根本原因是（）

A.對(duì)比度好
B.分辨率高
C.成像速度慢
D.可以動(dòng)態(tài)成像
E.視野大