A.突觸后電位
B.神經(jīng)元的內(nèi)源性爆發(fā)電位
C.神經(jīng)元之間的縫隙連接
D.電突觸
E.軸突
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A.丘腦是產(chǎn)生腦電活動(dòng)節(jié)律的主要部位
B.新皮層主要產(chǎn)生腦電活動(dòng)的電壓和電場(chǎng)
C.丘腦神經(jīng)元被激活的電位一般在-60mV
D.在覺(jué)醒狀態(tài)丘腦神經(jīng)元處于超級(jí)化狀態(tài)
E.在睡眠狀態(tài),丘腦神經(jīng)元一爆發(fā)點(diǎn)燃的模式活動(dòng)。
A.維護(hù)儀器,避免電路損壞。
B.避免單點(diǎn)接地
C.使用帶光電隔離的插線盒
D.使用三相插座
E.使用合格的保險(xiǎn)絲
A.大腦半球
B.殼核
C.腦干
D.小腦
E.脊髓
A.谷氨酸和門(mén)冬氨酸
B.谷氨酸和γ-氨基丁酸
C.門(mén)冬氨酸和甘氨酸
D.甘氨酸和γ-氨基丁酸
E.谷氨酸和甘氨酸
A.O2與枕外粗隆的間距為20%
B.雙耳前凹連線距左耳前凹10%處為T(mén)4電極位置
C.從鼻根向后20%處為FPz位置
D.從FP2位置向左10%為Fp1,F(xiàn)p1向后每個(gè)電極間距為20%
E.01與02間距為10%
A.神經(jīng)元之間可形成環(huán)路,對(duì)癲癇樣放電的產(chǎn)生起重要作用
B.興奮性神經(jīng)遞質(zhì)可增加神經(jīng)元的興奮性
C.單個(gè)巨大神經(jīng)元的異常動(dòng)作電位足以形成腦電圖上可記錄到的癲癇樣放電
D.去極化漂移(PDS)是癲癇樣放電的基礎(chǔ)
E.腦內(nèi)多種病理性因素可導(dǎo)致細(xì)胞內(nèi)外離子分布異常,使神經(jīng)元興奮性異常增高
A.判斷觸電者的意識(shí)狀況
B.判斷觸電者的脈搏情況
C.對(duì)觸電者行心肺復(fù)蘇
D.切斷電源及使觸電者脫離電源
E.撥打急救電話
A.頻率
B.導(dǎo)聯(lián)
C.位相
D.波幅
E.波形
A.第七對(duì)顱神經(jīng)
B.第八對(duì)顱神經(jīng)
C.第九對(duì)顱神經(jīng)
D.第十對(duì)顱神經(jīng)
E.第十一對(duì)顱神經(jīng)
A.10~100Ω
B.100~500Ω
C.100~5000Ω
D.>5000Ω
E.>10000Ω
最新試題
腦內(nèi)興奮性遞質(zhì)包括()。
下列有關(guān)睡眠潛伏期的描述,正確的是()。
主要用于提高癲癇樣放電陽(yáng)性率實(shí)驗(yàn)是的是()。
有利于腦力恢復(fù)的睡眠是()。
不符合μ節(jié)律特征的是()。
正常人清醒腦電圖的主要成分是()。
尖慢復(fù)合波的慢波形成的原因()。
以下不屬于復(fù)雜神經(jīng)環(huán)路的是()。
國(guó)際10~20系統(tǒng)的電極位置,正確的是()。
關(guān)于癲癇樣放電產(chǎn)生的敘述,錯(cuò)誤的是()。