A.合適的物理半衰期
B.適當(dāng)?shù)纳渚€類型
C.射線能量適當(dāng)
D.射線能量盡可能高,有利于顯像質(zhì)量的提高
E.在體內(nèi)滯留時(shí)間越短越好
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A.可有不孕、閉經(jīng)
B.卵巢常明顯增大
C.壁均勻
D.囊液密度呈水樣
E.常發(fā)生于單側(cè)卵巢
A.肝硬化
B.淤血肝
C.脂肪肝、酒精性肝病
D.肝血吸蟲病
E.布加氏綜合征
A.腎盂癌
B.腎乳頭狀瘤
C.陰性結(jié)石
D.輸尿管下端囊腫
E.腎結(jié)核空洞
A.錯(cuò)構(gòu)瘤
B.血管瘤
C.黃色肉芽腫性腎盂腎炎
D.腎腺瘤
E.腎母細(xì)胞瘤
A.利于暴露隱蔽的病灶
B.增強(qiáng)掃描可區(qū)分血管與淋巴結(jié)
C.不用對(duì)比劑即可區(qū)分血管與淋巴結(jié)
D.利用CT值可幫助定性
E.斷面圖像可準(zhǔn)確定位
A.絨毛膜上皮瘤
B.無(wú)性細(xì)胞瘤
C.實(shí)性畸胎瘤
D.內(nèi)胚竇瘤
E.未分化癌
A.術(shù)后2~3周,殘腔壁出現(xiàn)環(huán)形或線條樣鈣化
B.術(shù)后殘留病灶增大,或遠(yuǎn)隔部位出現(xiàn)新病變
C.MRI上術(shù)后腦膜增厚,呈條片狀強(qiáng)化
D.SPECT掃描顯示局部殘腔壁放射性核素局部濃集
E.術(shù)后短期內(nèi)出現(xiàn)腦水腫
A.131I
B.99mTc
C.99Sr
D.15O
E.13N
A.病側(cè)大腦半球頂枕區(qū)表面有弧帶狀或鋸齒狀鈣化
B.伴隨腦發(fā)育不全的腦溝增寬、腦室擴(kuò)大和體積縮小
C.病側(cè)顱壁增厚、頭顱不對(duì)稱
D.增強(qiáng)掃描可顯示皮質(zhì)表面軟腦膜的異常血管
E.常并發(fā)腦膜瘤、神經(jīng)鞘病及其他先天畸形
A.化學(xué)反應(yīng)受環(huán)境溫度、壓力影響,而核反應(yīng)不受環(huán)境溫度、壓力影響
B.化學(xué)反應(yīng)中反應(yīng)物濃度隨時(shí)間而減少,而核反應(yīng)不確定
C.化學(xué)反應(yīng)比核反應(yīng)速度快
D.化學(xué)反應(yīng)受反應(yīng)介質(zhì)影響,而核反應(yīng)不受介質(zhì)影響
E.化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)物濃度隨時(shí)間而增加,而核反應(yīng)不確定
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