A.同一位置
B.同一位置,協(xié)調(diào)性關(guān)系
C.同一位置,非協(xié)調(diào)性關(guān)系
D.非同一位置,協(xié)調(diào)性關(guān)系
E.非同一位置,非協(xié)調(diào)性關(guān)系
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A.骨內(nèi)種植
B.骨膜下種植
C.根管內(nèi)種植
D.穿骨種植
E.下頜支種植
A.基牙健康狀況
B.缺牙部位
C.缺牙數(shù)目
D.基托厚薄
E.義齒支持形式
A.口角線(xiàn)
B.面中線(xiàn)
C.牙槽嵴頂線(xiàn)
D.笑線(xiàn)
E.牙合堤平面
A.模型包埋不牢
B.基托暴露不夠
C.出現(xiàn)倒凹,石膏折斷
D.基牙折斷
E.充填氣泡
A.人工牙減徑
B.人工牙減數(shù)
C.減少與對(duì)頜牙咬合面的接觸面積
D.減少基托面積
E.加大基托面積
A.室溫下加熱→50℃恒溫1小時(shí)→100℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
B.50℃加溫→約70℃恒溫1小時(shí)→90℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
C.室溫下加熱→約70℃恒溫90分鐘→100℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
D.室溫下加熱→約70℃恒溫1小時(shí)→90℃維持半小時(shí)→冷卻至室溫
E.50℃加溫→約70℃恒溫1小時(shí)→100℃維持半小時(shí)→趁熱出盒
A.前牙排列覆牙合深
B.切導(dǎo)斜度大而后牙補(bǔ)償曲線(xiàn)太小
C.正中咬合接觸不緊
D.個(gè)別牙尖阻擋
E.以上均是
A.使用振蕩器灌注模型可以減少模型氣泡
B.分段灌注時(shí)應(yīng)等到超硬石膏凝固以后再灌注普通石膏,以防普通石膏流入模型表面,影響修復(fù)體制作工作面的強(qiáng)度
C.調(diào)拌時(shí)如果發(fā)現(xiàn)模型材料水粉比例不當(dāng),不能夠中途加水或者粉劑,而應(yīng)該棄去材料,重新調(diào)拌
D.灌注模型時(shí)可以在孤立牙部位插入竹簽或者金屬釘,加強(qiáng)其強(qiáng)度,以防孤立牙折斷
E.分段灌注法可以節(jié)約材料,降低成本
A.模型向前傾斜時(shí),義齒由前向后戴入
B.模型向后傾斜時(shí),義齒由后向前戴入
C.模型向左傾斜時(shí),義齒由左向右戴入
D.模型向右傾斜時(shí),義齒由右向左戴入
E.以上都是
A.用碳化硅磨除非貴金屬基底金一瓷結(jié)合面的氧化物
B.用鎢剛鉆磨除貴金屬表面的氧化物
C.一個(gè)方向均勻打磨金屬表面不合要求的外形
D.使用橡皮輪磨光金屬表面
E.防止在除氣及預(yù)氧化后用手接觸金屬表面
最新試題
下頜牙列有遠(yuǎn)中游離缺失時(shí),應(yīng)考慮()
單純前牙缺失,腭側(cè)基托應(yīng)考慮()。
右側(cè)后牙全部缺失,左側(cè)余留牙舌側(cè)倒凹大,觀(guān)測(cè)模型時(shí)應(yīng)()。
上頜后堤溝的寬度在腭中縫后緣處寬約()。
卡環(huán)臂同時(shí)與兩個(gè)基牙軸面角相接觸的是()。
單個(gè)前牙缺失,唇側(cè)牙槽嵴豐滿(mǎn)時(shí),應(yīng)考慮()。
基托應(yīng)充分延伸的區(qū)域是()
767缺失,應(yīng)用的連接桿是()。
基托在以下哪個(gè)區(qū)域應(yīng)充分延伸?()。
全口義齒的橫牙合曲線(xiàn)是指()。