單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備的傳輸擴(kuò)展單元接口板是()。

A.SCTE
B.ETPE
C.EMA
D.BPOG


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備的傳輸單元接口板是()。

A.SCTE
B.ETPE
C.EMA
D.BPOG

2.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE最大支持()個(gè)宏站載扇。

A.3
B.4
C.5
D.6

3.單項(xiàng)選擇題以下說法錯(cuò)誤的是()

A.TD-LTE相比3G具有更低的接入時(shí)延
B.TD-LTE采用扁平化的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
C.TD-LTE可以采用同頻組網(wǎng)
D.TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)展嚴(yán)重滯后于FDD-LTE

4.多項(xiàng)選擇題調(diào)度一個(gè)用戶可以使用的資源可能是()。

A、2CCE
B、4CCE
C、8CCE
D、16CCE

5.多項(xiàng)選擇題下列哪些概念是同樣的含義?()

A、碼字和流
B、層和秩
C、天線端口和物理天線
D、MU-MIMO和SDMA

6.多項(xiàng)選擇題LTE中采用了那些多址技術(shù)()技術(shù)。

A、SC-FDMA
B、OFDMA
C、CDMA
D、SDMA

7.多項(xiàng)選擇題TD-LTE組網(wǎng)系統(tǒng)間干擾類型()。

A.雜散干擾
B.阻塞干擾
C.疊加干擾
D.互調(diào)干擾

8.多項(xiàng)選擇題特殊時(shí)隙規(guī)劃考慮的要素()。

A.小區(qū)覆蓋距離
B.PRACH配置
C.多系統(tǒng)共存時(shí)同頻交叉時(shí)隙干擾
D.系統(tǒng)容量

9.多項(xiàng)選擇題通用無線傳播模型和以下因素有關(guān)系()。

A.基站天線高度
B.UE天線高度
C.基站與UE的距離
D.基站天線下傾角

10.多項(xiàng)選擇題衡量業(yè)務(wù)質(zhì)量的指標(biāo)有()。

A.對應(yīng)的承載速率
B.誤碼率
C.延時(shí)
D.覆蓋半徑

最新試題

在進(jìn)行更換或互換單板時(shí),一定要在()或()進(jìn)行,盡量減少對正常業(yè)務(wù)的影響。

題型:填空題

TD-LTE系統(tǒng)EPC中,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)承載并提供接入錨點(diǎn)的網(wǎng)元是()。

題型:填空題

TD-LTE系統(tǒng)中,切換判決由()執(zhí)行。

題型:填空題

基站的噪聲系數(shù)一般為()dB,而終端一般為()dB。

題型:填空題

TD-LTE系統(tǒng)中,UE為了完成在網(wǎng)絡(luò)中的注冊,需要進(jìn)行()過程。

題型:填空題

在算干擾余量時(shí)不用考慮系統(tǒng)負(fù)載。()

題型:判斷題

為保證網(wǎng)絡(luò)的良好運(yùn)行,維護(hù)人員應(yīng)每周或每兩周對全網(wǎng)基站RRU通道狀態(tài)、RRU通道功率、駐波比、風(fēng)扇轉(zhuǎn)速、()、光功率、()等信息進(jìn)行巡檢。

題型:填空題

對于節(jié)假日和重大活動(dòng)網(wǎng)絡(luò)保障,應(yīng)提前對eNB運(yùn)行溫度進(jìn)行巡檢——單板運(yùn)行溫度應(yīng)不高于60攝氏度,超過70攝氏度的應(yīng)列為()處理。

題型:填空題

切換過程可以采用競爭接入過程也可以采用非競爭接入過程。()

題型:判斷題

每個(gè)異頻的鄰區(qū)均可以通過自身優(yōu)先級(jí)的設(shè)置來控制重選。()

題型:判斷題