A、加速顯影作用
B、保護(hù)顯影作用
C、抑制灰霧生成
D、堅(jiān)膜作用
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A、感光度
B、管電流
C、膠片反差系數(shù)
D、以上都對
A、25
B、12.5
C、6.25
D、3.125
A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
A、產(chǎn)生射線照相底片對比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
A、平放
B、直立
C、堆放
D、任意放置
A、鉛增感屏?xí)a(chǎn)生可見光和熒光
B、鉛屏可吸收散射線
C、防止背散射造成膠片灰霧
D、鉛屏受X射線和γ射線照射會發(fā)生二次電子
A、較黑斑塊顯示
B、較白斑塊顯示
C、無顯示
D、以上任何一種
最新試題
渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()
渦流檢測線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對于檢測結(jié)果的好壞起著重要的作用。
各類渦流檢測儀器的工作原理和()是相同的。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
在聲束垂直試件表面時,所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
對檢測儀的時間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。