單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來減少反射。

A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射


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1.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

2.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

3.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。

A.4HF+Si=SiF4+2H2
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

4.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。

A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2

5.單項(xiàng)選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,最常用的儲(chǔ)能設(shè)備是()。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

6.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流()漂移電流,耗盡層()。

A.大于,變寬
B.小于,變窄
C.大于,變窄
D.小于,變寬

7.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷原子后形成的半導(dǎo)體稱為()。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.化合物半導(dǎo)體

最新試題

集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()

題型:多項(xiàng)選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。

題型:判斷題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個(gè)電路具有自起功能。

題型:判斷題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

題型:判斷題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端,靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。

題型:判斷題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:單項(xiàng)選擇題