多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開(kāi)啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓


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1.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過(guò)電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快

2.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

3.多項(xiàng)選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

4.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過(guò)電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說(shuō)法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過(guò)程很短暫

6.多項(xiàng)選擇題可關(guān)斷晶閘管GTO的門極電路由（）組成。

A.門極開(kāi)通電路
B.門極關(guān)斷電路
C.門極反偏電路
D.RCD吸收電路

7.多項(xiàng)選擇題根據(jù)控制信號(hào)的不同性質(zhì)，電力電子器件可分為（）。

A.電阻型
B.電感型
C.電流型
D.電壓型

8.多項(xiàng)選擇題按載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為（）。

A.單極型
B.雙極型
C.多極型
D.混合型

9.多項(xiàng)選擇題TTL集成電路和CMOS集成電路對(duì)輸入端的空腳處理是（）。

A.CMOS允許懸空
B.TTL不允許懸空
C.TTL允許懸空
D.CMOS不允許懸空

10.多項(xiàng)選擇題TTL數(shù)字集成電路來(lái)說(shuō)在使用中應(yīng)注意到（）。

A.電源電壓極性不得接反，其額定值為5V
B.與非不使用的輸入端接“1”
C.與非門輸入端可以串有電阻器，但其值不應(yīng)大于開(kāi)門電阻
D.或非門不使用的輸入端接“0”