A.0·0=0
B.0·1=0
C.1·0=0
D.1·1=1
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A.0
B.1
C.2
D.3
A.8421BCD碼
B.2421BCD碼
C.格雷碼
D.5121BCD碼
A.8421碼
B.有權(quán)碼
C.無權(quán)碼
D.5121碼
A.定點(diǎn)表示法
B.浮點(diǎn)表示法
C.源碼表示法
D.反碼表示法
A.編碼
B.原碼
C.反碼
D.補(bǔ)碼
A.0
B.10
C.E
D.G
A.0
B.5
C.8
D.9
A.奇數(shù)
B.偶數(shù)
C.基數(shù)
D.位權(quán)
A.二進(jìn)制
B.八進(jìn)制
C.十進(jìn)制
D.十六進(jìn)制
A.真值表
B.表達(dá)式
C.邏輯圖
D.卡諾圖
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()