單項(xiàng)選擇題三相半波可控整流電路的最大移相范圍（）度。

A.90
B.120
C.150
D.180


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1.單項(xiàng)選擇題在可控整流電路中，輸出電壓隨控制角的變大而（）。

A.變大
B.變小
C.不變
D.無(wú)規(guī)律

2.單項(xiàng)選擇題單相可控硅要滿足由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箺l件，應(yīng)采取的措施是（）。

A.升高陽(yáng)極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開陽(yáng)極電源
D.斷開控制電路

3.單項(xiàng)選擇題單相可控硅由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗獫M足（）條件。

A.升高陽(yáng)極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開控制電路
D.正向電流小于最小維持電流

4.單項(xiàng)選擇題普通晶閘管門極與陰極間的反向電阻比正向電阻（）。

A.稍大
B.基本相等
C.明顯大一些
D.小一些

5.單項(xiàng)選擇題用萬(wàn)用表測(cè)試好得單向晶閘管時(shí)，G、K極間正反向電阻應(yīng)該（）。

A.都不大
B.都很大
C.都很小
D.一小一大

6.單項(xiàng)選擇題晶閘管導(dǎo)通的條件是（）。

A.陽(yáng)極和陰極間加正向電壓，門極不加電壓
B.陽(yáng)極和陰極間加反向電壓，門極和陰極間加正向電壓
C.陽(yáng)極和陰極、門極和陰極間都加正向電壓
D.陽(yáng)極和陰極間加正向電壓，門極加反向電壓

7.單項(xiàng)選擇題關(guān)于單相晶閘管的構(gòu)成，下述說(shuō)法中正確地是（）。

A.可以等效的看成是由3個(gè)三極管構(gòu)成的
B.可以等效的看成是由1個(gè)NPN，1個(gè)PNP三極管構(gòu)成的
C.可以等效的看成是由2個(gè)NPN三極管構(gòu)成的
D.可以等效的看成是由2個(gè)PNP三極管構(gòu)成的

8.單項(xiàng)選擇題增大Uce的動(dòng)態(tài)范圍使工作點(diǎn)Q下降是解決（）的辦法。

A.截止失真
B.飽和失真
C.交越失真
D.零點(diǎn)漂移

9.單項(xiàng)選擇題直流放大器存在的主要問(wèn)題是（）。

A.截止失真
B.飽和失真
C.交越失真
D.零點(diǎn)漂移

10.單項(xiàng)選擇題共發(fā)射極接法放大器（）。

A.輸入Ib，輸出Ie
B.輸入Ib，輸出Ic
C.輸入Ie，輸出Ic
D.輸入Ie，輸出Ie