若儲能電容器采用單相橋式接線，由于提高了充電電壓，電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。

直流回路熔斷器質(zhì)量不合格，接觸不良，可導(dǎo)致直流電壓消失。

由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高，在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí)，有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。

因系統(tǒng)故障，使電源線路對側(cè)跳閘，造成電源中斷時(shí)，不會引起站用交流電壓消失。

根據(jù)需要可在適當(dāng)?shù)攸c(diǎn)將電流互感器二次側(cè)開路。

檢查操作把手標(biāo)號應(yīng)齊全，并與實(shí)際相符。

驗(yàn)收隔離開關(guān)觸頭應(yīng)接觸嚴(yán)密，無變色。

真空斷路器的真空度測試工作非常重要，一旦真空度被破壞，就不能滅弧，因此驗(yàn)收時(shí)必須檢查真空度。

采用硅整流裝置作操作電源，缺點(diǎn)是不能獨(dú)立使用，需加裝補(bǔ)償電容、自投裝置、逆止閥等附件。

通信設(shè)備故障或中斷通信，屬于緊急缺陷。