A.與單位面積內(nèi)的原子個(gè)數(shù)成反比
B.與入射光子的波長(zhǎng)成正比
C.與入射光子的能量成正比
D.與物質(zhì)的原子序數(shù)的四次方成反比
E.與物質(zhì)的原子序數(shù)的四次方成正比
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A.50mSv
B.100mSv
C.150mSv
D.200mSv
E.250mSv
A.屏蔽防護(hù)
B.個(gè)人劑量限制
C.防護(hù)水平最優(yōu)化
D.合理降低個(gè)人受照劑量
E.合理降低全民檢查頻率
A.電子數(shù)多的物質(zhì)更容易衰減射線
B.物質(zhì)密度越高,衰減越少
C.原子序數(shù)越高的物質(zhì),吸收X射線越多
D.射線能量越高,衰減越少
E.入射光子能量越大,X射線穿透力越強(qiáng)
A.立即脫離放射源
B.防止被照區(qū)皮膚再次受到照射
C.防止被照區(qū)皮膚再次受到刺激
D.繼續(xù)照射
E.疑有放射性核素沾染皮膚時(shí)應(yīng)及時(shí)去污處理
A.腦
B.眼晶狀體
C.放射線既往史
D.紅細(xì)胞、血紅蛋白或全血比重
E.白細(xì)胞總數(shù)及其分類(lèi)
最新試題
關(guān)于屏蔽防護(hù),敘述錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于光電效應(yīng),敘述正確的是()。
關(guān)于X線強(qiáng)度分布,敘述正確的是()。
與X線量有關(guān)的因素是()。
關(guān)于輻射損傷,敘述錯(cuò)誤是()。
關(guān)于X線,敘述正確的是()。
皮膚受到照射后出現(xiàn)壞死潰瘍屬于皮膚損傷的級(jí)別為()。
磁性原子核需要符合的條件是()。
在影響X線減弱的因素中錯(cuò)誤的是()。
光電效應(yīng)對(duì)X線攝影的影響有()。