單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET（）現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無(wú)二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無(wú)靜電擊穿


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1.單項(xiàng)選擇題計(jì)算機(jī)發(fā)展的方向是巨型化、微型化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化，其中“巨型化”是指（）。

A、體積大
B、質(zhì)量大
C、外部設(shè)備更多
D、功能更強(qiáng)、運(yùn)算速度更快、存儲(chǔ)量更大

2.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極晶體管具有（）的優(yōu)點(diǎn)。

A、晶閘管
B、單結(jié)晶體管
C、電力場(chǎng)效應(yīng)管
D、電力晶體管和電力場(chǎng)效應(yīng)管

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于計(jì)算機(jī)的特點(diǎn)，（）是論述的錯(cuò)誤。

A、運(yùn)算速度高
B、具有記憶和邏輯判斷功能
C、運(yùn)算精度高
D、運(yùn)行過(guò)程不能自動(dòng)、連續(xù)，需人工干預(yù)

4.單項(xiàng)選擇題發(fā)電機(jī)——電動(dòng)機(jī)組調(diào)速系統(tǒng)是一種典型的（）調(diào)速自控系統(tǒng)。

A、開(kāi)環(huán)
B、半閉環(huán)
C、單閉環(huán)
D、全閉環(huán)

5.單項(xiàng)選擇題自控系統(tǒng)開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)（）越好。

A、越大
B、越小
C、在保證系統(tǒng)動(dòng)態(tài)特性前提下越大
D、在保證系統(tǒng)動(dòng)態(tài)特性前提下越小

6.單項(xiàng)選擇題計(jì)算機(jī)之所以能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)運(yùn)算，是由于采用了（）。

A、布爾邏輯
B、存儲(chǔ)程序
C、數(shù)字電路
D、集成電路

7.單項(xiàng)選擇題晶閘管逆變器輸出交流電的頻率由（）來(lái)決定。

A、一組晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間
B、兩組晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間
C、一組晶閘管的觸發(fā)脈沖頻率
D、兩組晶閘管的觸發(fā)脈沖頻率

8.單項(xiàng)選擇題下列直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速的方法中，能實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)調(diào)速且能量損耗小的方法是（）。

A、直流他勵(lì)發(fā)電機(jī)——直流電動(dòng)機(jī)組
B、改變電樞回路電阻
C、斬波器
D、削弱磁場(chǎng)

9.單項(xiàng)選擇題將二進(jìn)制數(shù)00111011轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制數(shù)是（）。

A、2AH
B、3AH
C、2BH
D、3BH

10.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極晶體管的導(dǎo)通與關(guān)斷是由（）來(lái)控制。

A、柵極電流
B、發(fā)射極電流
C、柵極電壓
D、發(fā)射極電壓