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單項(xiàng)選擇題選擇接地方式應(yīng)根據(jù)電路工作頻率來(lái)確定，當(dāng)頻率f ＜1MHz時(shí)，可以（）。

A.采用多點(diǎn)接地方式
B.采用一點(diǎn)接地方式
C.不采用接地
D.采用安全接地

1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于低頻磁場(chǎng)干擾以及恒定磁場(chǎng)的影響，應(yīng)采用（）作屏蔽體，這可使干擾磁場(chǎng)的磁力線大部分經(jīng)屏蔽體構(gòu)成磁回路，從而隔離或削弱了磁場(chǎng)干擾的耦合通路。

A.鐵
B.鋁
C.銅
D.鋅

2.單項(xiàng)選擇題從自動(dòng)控制的角度來(lái)看，晶閘管中頻電源裝置在感應(yīng)加熱時(shí)是一個(gè)（）。

A.開(kāi)環(huán)系統(tǒng)
B.人工閉環(huán)系統(tǒng)
C.自動(dòng)閉環(huán)系統(tǒng)
D.半開(kāi)環(huán)系統(tǒng)

3.單項(xiàng)選擇題為了確保電力電子裝置安全可靠的運(yùn)行，必須正確選用電力電子器件，容量為600～4000 kV·A的裝置一般采用（）。

A.GR
B.IGBT
C.GO晶閘管
D.MOSFE

4.單項(xiàng)選擇題為了降低電力晶體管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中的損耗，提高系統(tǒng)的安全可靠性，必須采用合理的（）驅(qū)動(dòng)電路。

A.基極
B.集電極
C.柵極
D.發(fā)射極

5.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡(jiǎn)稱（）。

A.MOSFE
B.IGBT
C.GR
D.GO

6.單項(xiàng)選擇題雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)（）。

A.均為電壓控制
B.均為電流控制
C.雙極型晶體管為電壓控制，場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電流控制
D.雙極型晶體管為電流控制，場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電壓控制

7.單項(xiàng)選擇題在數(shù)字電路中，控制整個(gè)電路按規(guī)定的時(shí)間順序進(jìn)行工作，并起著時(shí)間標(biāo)準(zhǔn)作用的是（）。

A.高電平
B.低電平
C.鐘控信號(hào)（CT ）
D.高低電平

8.單項(xiàng)選擇題譯碼器屬于（）。

A.時(shí)序數(shù)字電路
B.組合邏輯數(shù)字電路
C.運(yùn)算電路
D.集成電路

9.單項(xiàng)選擇題若將一個(gè)頻率為10kHz的矩形波變換成一個(gè)1kHz的矩形波，應(yīng)采用（）電路。

A.二進(jìn)制計(jì)數(shù)器
B.譯碼器
C.十進(jìn)制計(jì)數(shù)器
D.編碼器

10.單項(xiàng)選擇題CMOS集成邏輯門(mén)電路內(nèi)部是以（）為基本元件構(gòu)成的。

A.二極管
B.晶體管
C.晶閘管
D.場(chǎng)效應(yīng)晶體管