單項(xiàng)選擇題在端角反射的兩次反射中，均為（），端角反射率為100%。

A.橫波反射
B.縱波反射
C.橫波全反射
D.縱波和橫波反射


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1.單項(xiàng)選擇題有機(jī)溶劑揮發(fā)較快，顯像時(shí)間很短的是（）。

A.水基濕式顯像
B.水懸浮濕式顯像
C.非水基濕式顯像
D.水溶解濕式顯像

4.單項(xiàng)選擇題磁粉探傷中，發(fā)現(xiàn)有疑問磁痕，應(yīng)該（）。

A.全部重新檢驗(yàn)
B.提高標(biāo)準(zhǔn)重新檢驗(yàn)
C.超標(biāo)磁痕重新檢驗(yàn)
D.用其他方法重新檢驗(yàn)

5.單項(xiàng)選擇題急性放射損傷是由于（）所致。

A.一次長(zhǎng)時(shí)間小劑量照射
B.一次短時(shí)間大劑量照射
C.慢性小劑量連續(xù)照射
D.慢性大劑量連續(xù)照射

6.單項(xiàng)選擇題如果溫度改變了，物體分子運(yùn)動(dòng)的動(dòng)能改變了，（）。

A.物體的勢(shì)能不會(huì)改變
B.物體的內(nèi)能也隨著改變
C.物體的平均動(dòng)能減小
D.物體的內(nèi)能不會(huì)改變

8.單項(xiàng)選擇題在背散射檢查中，在暗盒背面貼附一個(gè)“B”鉛字，觀片時(shí)發(fā)現(xiàn)（）說(shuō)明背散射嚴(yán)重。

A.較黑背景上出現(xiàn)“B”字較黑影像
B.不出現(xiàn)“B”字影像
C.較黑背景上出現(xiàn)“B”字較淡影像
D.較淡背景上出現(xiàn)“B”字較黑影像

9.單項(xiàng)選擇題在數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)中，僅適用于測(cè)定不存在被檢測(cè)工件時(shí)的空間分辨率的是（）。

A.線對(duì)卡
B.雙絲像質(zhì)計(jì)
C.線型像質(zhì)計(jì)
D.專用像質(zhì)計(jì)

10.單項(xiàng)選擇題選擇滲透檢測(cè)方法依據(jù)不包括檢測(cè)（）。

A.靈敏度的要求
B.工件的表面粗糙度
C.批量的大小
D.工件內(nèi)部缺陷性質(zhì)