A.受壓力因素
B.受溫度
C.受化學(xué)狀態(tài)
D.不受任何環(huán)境因素
E.以上都不是
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A.局部顯影和全身顯影
B.靜態(tài)顯影和動(dòng)態(tài)顯影
C.平面顯影和斷層顯影
D.早期顯影和延遲顯影
E.陰性顯影和陽(yáng)性顯影
A.了解病灶部位的代謝與血流變化
B.了解病灶區(qū)解剖密度的變化
C.了解病灶區(qū)解剖形態(tài)的變化
D.提高探測(cè)病灶的敏感性
E.判斷病灶大小
A.Tl和Tc-MIBI
B.Tc-MDP和Tc-HMDP
C.TcO
D.Tc-DTPA
E.Tc-MAA
A.74~185GBq
B.740~1850MBq
C.74~185KBq
D.74~185MBq
E.7.4~18.5MBq
A.受檢者的原因
B.來(lái)自放射性核素顯像劑的原因
C.來(lái)自機(jī)械性的原因
D.來(lái)自顯像技術(shù)方面的原因
E.其他原因
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±5%
E.±10%
A.α線
B.β+線
C.β-線
D.γ線
E.康普頓電子射線
A.6.02小時(shí)
B.6.02天
C.1.658小時(shí)
D.50.55天
E.3.05天
A.Tc-DTPA
B.Tc-紅細(xì)胞
C.Tc-MAA
D.Tc-ECD
E.Tc-膠體
A.Tl和Tc-MIBI
B.Tc-MDP和Tc-HMDP
C.TcO
D.Tc-DTPA
E.Tc-MAA
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