問(wèn)答題簡(jiǎn)述LTE系統(tǒng)中TAC規(guī)劃的主要原則。
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5.問(wèn)答題在定點(diǎn)測(cè)試—法線方向好中差定點(diǎn)上下行吞吐量測(cè)試”中“好點(diǎn),中點(diǎn),差點(diǎn)”定義的SINR和RSRP一般分別是多少?
9.問(wèn)答題在MME上配置ENODEB,需要規(guī)劃并配置哪些數(shù)據(jù)?
10.問(wèn)答題在LTE系統(tǒng)中,空口速率的提升主要依靠哪些技術(shù)?
最新試題
試比較TD-LTE升級(jí)和新建方案。
題型:?jiǎn)柎痤}
簡(jiǎn)述UE發(fā)起TAU的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
請(qǐng)描述一下,通信機(jī)房?jī)?nèi)照明設(shè)置應(yīng)配備哪幾種,且各自作用如何。
題型:?jiǎn)柎痤}
請(qǐng)列舉四種基站間干擾解決方案,并說(shuō)明各自的適用場(chǎng)景。
題型:?jiǎn)柎痤}
簡(jiǎn)述LTE跟蹤區(qū)邊界的規(guī)劃原則。
題型:?jiǎn)柎痤}
在MME上配置ENODEB,需要規(guī)劃并配置哪些數(shù)據(jù)?
題型:?jiǎn)柎痤}
請(qǐng)描述一下,目前中移TD-LTE網(wǎng)絡(luò)可用頻段起止范圍,及其相應(yīng)頻段名稱?
題型:?jiǎn)柎痤}
簡(jiǎn)要說(shuō)明TD-LTE特殊子幀的幀結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
題型:?jiǎn)柎痤}
某TDLTER8處于小區(qū)B1超過(guò)20秒,鄰區(qū)有A(高優(yōu)先級(jí))、B2(同優(yōu)先級(jí))及C(低優(yōu)先級(jí))。參數(shù)設(shè)置如下:threshXHigh=threshXLow=threshServingLow=20dB;qOffsetCell=0dB;qHyst=6dB。tReselection=1秒;qRxLevMin=-115dBm;offsetFreq=0所有小區(qū)的RSRP測(cè)量值(連續(xù)一秒)如下:A:-97dBmB1:-96dBmB2:-92dBmC:-94dBm請(qǐng)用R8的重選規(guī)則評(píng)估所有小區(qū),然后找出最終重選目標(biāo)小區(qū)?
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簡(jiǎn)述觸發(fā)LTE系統(tǒng)內(nèi)切換的主要事件及含義。
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