單項選擇題電力晶體管GTR內(nèi)部電流是由()形成的。

A.電子
B.空穴
C.電子和空穴
D.有電子但無空穴


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1.單項選擇題在硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中,限流電阻R的作用是()

A.既限流又降壓
B.既限流又調(diào)壓
C.既降壓又調(diào)壓
D.既調(diào)壓又調(diào)流

3.單項選擇題自控系統(tǒng)開環(huán)放大倍數(shù)()越好。

A.越大
B.越小
C.在保證系統(tǒng)動態(tài)特性前提下越大
D.在保證系統(tǒng)動態(tài)特性前提下越小

4.單項選擇題發(fā)電機——電動機組調(diào)速系統(tǒng)是一種典型的()調(diào)速自控系統(tǒng)。

A.開環(huán)
B.半閉環(huán)
C.單閉環(huán)
D.全閉環(huán)

5.單項選擇題一個完整的計算機硬件系統(tǒng)包括()

A.計算機及其外圍設(shè)備
B.主機、鍵盤及顯示器
C.數(shù)字電路
D.集成電路

8.單項選擇題微機中的中央處理器包括控制器和()。

A.ROM
B.RAM
C.存儲器
D.運算器

9.單項選擇題在載荷大,定心精度要求高的場合,宜選用()聯(lián)接。

A.平鍵
B.半圓鍵
C.銷
D.花鍵

10.單項選擇題定位銷的正確應(yīng)用是()。

A.定位銷可同時用于傳動橫向力和扭矩
B.定位銷使用的數(shù)目不得少于二個
C.定位銷使用的數(shù)目可以少于二個
D.定位銷是用來起過載保護作用的

最新試題

調(diào)功器作為可控硅電力開關(guān)設(shè)備,按調(diào)功器主回路通斷輸出方式可分為()。

題型:多項選擇題

電力功率調(diào)整器控制負(fù)載中(),是通過在電源的零點處進行通斷控制,通過改變占空比控制負(fù)載的功率。

題型:單項選擇題

直流調(diào)速系統(tǒng)中磁場回路缺相,應(yīng)檢查()電源板的數(shù)據(jù)是否正確,再檢查各有關(guān)的二極管與熔斷器。

題型:單項選擇題

電磁轉(zhuǎn)差離合器調(diào)速系統(tǒng)當(dāng)負(fù)載轉(zhuǎn)矩小于10%額定轉(zhuǎn)矩時,控制特性顯著惡化,負(fù)載將無法運轉(zhuǎn)而發(fā)生失控現(xiàn)象,因而機械特性存在()。

題型:單項選擇題

串級調(diào)速系統(tǒng)可有效地降低電耗,它的調(diào)速范圍一般可達()。

題型:單項選擇題

集成運算放大電路的各個組成部分中,故障率相對較高的是()。

題型:單項選擇題

用S7-200PLC的順序控制功能進行編程,以下說法錯誤的是()。

題型:單項選擇題

三速電動機是在雙速電動機的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,在三速電動機的定子槽內(nèi)安放兩套繞組,分別是()。

題型:多項選擇題

調(diào)功器不觸發(fā)或某一電路為零,其產(chǎn)生的原因不包括()。

題型:單項選擇題

高頻淬火與中頻淬火其主要區(qū)別在于頻率不同,高頻頻率范圍為()。中頻頻率范圍為()。

題型:單項選擇題