A.容量足夠大的電容
B.大電感
C.容量足夠小的電容
D.小電感
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A.2
B.3
C.4
D.5
A.成正比
B.成反比
C.f2成正比
D.f2成反比
A.電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，速度環(huán)為外環(huán)
B.電流環(huán)為外環(huán)，速度環(huán)為內(nèi)環(huán)
C.電流環(huán)為內(nèi)環(huán)，速度環(huán)也為內(nèi)環(huán)
D.電流環(huán)為外環(huán)，速度環(huán)也為外環(huán)
A.115％
B.100％
C.125％
D.150％
A.串聯(lián)
B.反串聯(lián)
C.并聯(lián)
D.反并聯(lián)
A.RC
B.LC
C.RL
D.石英晶體
A.0.3V
B.0.5V
C.0.7V
D.1.4V
A.5
B.4
C.2
D.1
A.10
B.5
C.20
D.15
A.V≤1.5
B.V>1.5
C.1.5≤V<3
D.1.5≤V<1
最新試題
用ICT-33C型數(shù)字集成電路測試儀判別555芯片好壞，下列說法正確的是（）。
電磁轉(zhuǎn)差離合器的機(jī)械特性較（），為保證轉(zhuǎn)速穩(wěn)定運(yùn)行，通常采用轉(zhuǎn)速閉環(huán)控制，可以獲得10：1的調(diào)速范圍。
關(guān)于臨時用電負(fù)荷計算，不正確的是（）。
調(diào)功器不觸發(fā)或某一電路為零，其產(chǎn)生的原因不包括（）。
高頻淬火與中頻淬火其主要區(qū)別在于頻率不同，高頻頻率范圍為（）。中頻頻率范圍為（）。
電磁轉(zhuǎn)差離合器調(diào)速系統(tǒng)當(dāng)負(fù)載轉(zhuǎn)矩小于10%額定轉(zhuǎn)矩時，控制特性顯著惡化，負(fù)載將無法運(yùn)轉(zhuǎn)而發(fā)生失控現(xiàn)象，因而機(jī)械特性存在（）。
關(guān)于中高頻淬火設(shè)備特點說法錯誤的是（）。
調(diào)功器作為可控硅電力開關(guān)設(shè)備，按調(diào)功器主回路通斷輸出方式可分為（）。
調(diào)功器調(diào)式時，控制器的輸出電壓已經(jīng)達(dá)到最大輸出值（97%左右），但輸出電流不到額定電流值其原因為（）。
串級調(diào)速系統(tǒng)可有效地降低電耗，它的調(diào)速范圍一般可達(dá)（）。