單項(xiàng)選擇題從FPl至O1的連線，每20%為一個(gè)電極的位置為（）。

A.FPl，C3，F(xiàn)3，P3，O1
B.FPl，F(xiàn)3，C3，P3，O1
C.FPl，F(xiàn)1，F(xiàn)3，C3，O1
D.FPl，F(xiàn)1，C3，P1，O1
E.FPl，F(xiàn)3，CZ，P3，O1


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于腦電圖記錄過(guò)程中事件的標(biāo)記，不正確的是（）。

A.患者監(jiān)測(cè)過(guò)程中出現(xiàn)的癥狀需標(biāo)記
B.患者狀態(tài)的改變需標(biāo)記
C.患者出現(xiàn)的各種特殊情況需標(biāo)記
D.患者應(yīng)用的特殊藥物需標(biāo)記
E.患者情況需標(biāo)記，儀器參數(shù)改變無(wú)需標(biāo)記

3.單項(xiàng)選擇題ERP與VEP、BAEP、SEP及MEP的本質(zhì)區(qū)別是（）。

A.潛伏期長(zhǎng)
B.成分復(fù)雜
C.要求受試者對(duì)刺激進(jìn)行主動(dòng)反應(yīng)，且受心理狀態(tài)影響明顯
D.需要進(jìn)行疊加平均
E.不需要掃描延遲

4.單項(xiàng)選擇題下面可能與腦電圖電靜息無(wú)關(guān)的是（）。

A.大劑量中樞鎮(zhèn)靜藥物中毒
B.體溫低于32.3℃～24℃
C.休克
D.嚴(yán)重代謝和內(nèi)分泌病變
E.昏睡

5.單項(xiàng)選擇題屬于雙極橫聯(lián)的是（）。

A.F7—F3
B.F7—T3
C.F3—C3
D.F3—A1
E.F3—Cz

6.單項(xiàng)選擇題腦電圖記錄前對(duì)儀器進(jìn)行操作和調(diào)試不包括（）。

A.安放電極
B.生物校準(zhǔn)
C.校準(zhǔn)電壓
D.導(dǎo)聯(lián)選擇
E.調(diào)整儀器參數(shù)

7.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)腦電圖描記的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)不正確的是（）。

A.靈敏度為7μV/mm或10μV/mm
B.低頻濾波< 1Hz
C.高頻濾波為70Hz
D.紙速為3cm/s
E.必須使用50Hz陷波濾波去除交流電干擾

8.單項(xiàng)選擇題減?？拱d癇藥物誘發(fā)試驗(yàn)主要用于（）。

A.青少年肌陣攣癲癇
B.兒童失神癲癇
C.兒童良性部分性癲癇
D.難治性部分性癲癇的術(shù)前評(píng)估
E.進(jìn)行性肌陣攣癲癇

9.單項(xiàng)選擇題容易激活發(fā)作間期癲癇樣放電的睡眠期是（）。

A.淺睡期
B.深睡期
C.REM期
D.淺睡期和REM期
E.深睡期和REM期

10.單項(xiàng)選擇題閃光刺激頻率應(yīng)在（）。

A.< 1Hz
B.1～30Hz
C.1～60Hz
D.30～60Hz
E.>60Hz