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單項選擇題晶閘管電流波形系數(shù)Kf的定義是（）。

A.I/I_dvt
B.I/I₂
C.I/I_m
D.I/I_h

1.單項選擇題晶閘管元件導(dǎo)通后，在其門極加反向電壓，則該晶閘管（）。

A.繼續(xù)導(dǎo)通
B.飽和
C.狀態(tài)不定
D.關(guān)斷

2.單項選擇題根據(jù)晶閘管的伏安特性，通常把U_drm和U_rrm中的（）值標(biāo)做該器件的額定電壓？

A.較小
B.較大
C.U_drm
D.U_rrm

3.單項選擇題加在晶閘管門極上的觸發(fā)信號電壓值一般為（）。

A.4-10V
B.12-18V
C.220V
D.380V

4.單項選擇題電力晶體管是（）控制型器件。

A.電流
B.電壓
C.頻率
D.功率

5.單項選擇題電力場效應(yīng)管MOSFER適于在（）條件下工作。

A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

6.單項選擇題在電力電子裝置中，電力晶閘管一般工作在（）狀態(tài)。

A.放大
B.截止
C.飽和
D.開關(guān)

7.單項選擇題在三相橋式半控整流電路中，對于其共陰極組晶閘管來說，只有（）一相的晶閘管且有觸發(fā)脈沖時才能導(dǎo)通。

A.陽極電壓最高
B.陽極電壓最低
C.陰極電壓最高
D.陰極電壓最低

8.單項選擇題在三相橋式半控整流電路中，對于其共陰極組晶閘管的觸發(fā)脈沖之顯相位差是（）。

A.60°
B.120°
C.150°
D.180°

9.單項選擇題電力場效應(yīng)管MOSFET（）現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無靜電擊穿

10.單項選擇題絕緣柵雙極晶體管具有（）的優(yōu)點．

A.晶閘管
B.單結(jié)晶體管
C.電力場效應(yīng)管
D.電力晶體管和電力場效應(yīng)管