A、10DB
B、12DB
C、14DB
D、16DB
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、光纖頭子受污染
B、光纖長度過長
C、光纖走纖時曲率半徑過大
D、光模塊類型不匹配
A、部署快、對現(xiàn)有HLR基本無影響
B、一般需要多點(diǎn)開通,流程長、效率低
C、可根據(jù)LTE用戶數(shù)增長迅速新建HSS
D、HLR,HSS都不需要新增特定功能
A、PGW
B、MME
C、HSS
D、SGW
A、IPv4
B、IPv6
C、PCC
D、OTT
A、在ECM-IDLE狀態(tài)下,UE和網(wǎng)絡(luò)間沒有NAS信令連接,UE執(zhí)行小區(qū)選擇/重選以及PLMN選擇。
B、MME能在UE注冊的TA列表的全部小區(qū)中發(fā)起尋呼。
C、UE在ECM-IDLE狀態(tài)下的位置是可知的,這時向UE發(fā)Paging,是向所有的注冊小區(qū)發(fā)廣播消息。
D、在EPS中,注冊區(qū)域由一系列TA組成,即TA列表。每個TA由一到多個小區(qū)組成。TA之間區(qū)域可以重疊。
A、S9
B、S10
C、S11
D、S12
A、RX
B、GX
C、SH
D、S8
A、方便施工安裝的位置
B、很難維護(hù)操作的位置
C、可能影響建筑物整體美觀的位置
D、廢棄的樓內(nèi)
A、TM1
B、TM2
C、TM3
D、TM4
A、1880-1900MHz
B、2570-2620
C、2330-2370MHz
D、2010-2025MHz
最新試題
用以測試駐波的儀器是(),一般駐波比小于()為正常。
VolTE呼叫建立時延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對呼叫建立時延有較大影響。
載波智能關(guān)斷針對地鐵等有固定時間段沒有用戶的場景,通知RF模塊進(jìn)入休眠。
t304定時器設(shè)置過大,會導(dǎo)致()。
VOLTE中用戶在IMS注冊成功后,需要周期性在IMS重注冊。
對于FDD-LTE,每個子幀最多只有一個PRACH資源。
VoLTE語音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動時,不允許發(fā)起TAU流程。
PRACK是請求而非響應(yīng),是對臨時響應(yīng)的確認(rèn)。