A、載波聚合技術(shù)
B、中繼技術(shù)
C、智能檢測(cè)技術(shù)
D、多點(diǎn)協(xié)作技術(shù)
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A、廈門(mén)
B、北京
C、上海
D、南京
A、概念驗(yàn)證
B、研發(fā)技術(shù)試驗(yàn)
C、規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)
D、擴(kuò)大規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)
A、VoLTE
B、CSFB
C、SRVCC
D、雙待機(jī)
A、手機(jī)
B、數(shù)據(jù)卡
C、MiFi
D、CPE
A、蘋(píng)果
B、三星
C、諾基亞
D、LG
A、發(fā)射功率小,在100mW到5W之間
B、重量輕,在2到10kg之間
C、用于熱點(diǎn)地區(qū)覆蓋
D、用于廣覆蓋
A、Picocell
B、Macro cell
C、Microcell
D、Femto
E、Metrocell
A、2G
B、3G
C、4G
D、WiFi
A、時(shí)延
B、抖動(dòng)
C、丟包率
D、單價(jià)
A、全網(wǎng)采用MPLS TE FRR技術(shù)
B、核心層采用MPLS TE FRR技術(shù)
C、全網(wǎng)開(kāi)啟IGP快速收斂技術(shù)
D、核心層開(kāi)啟IGP快速收斂技術(shù)
最新試題
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線鏈路失敗(RLF),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
LTE只需要考慮不遺漏鄰區(qū),而不需要嚴(yán)格按照信號(hào)強(qiáng)度來(lái)排序相鄰小區(qū)。
無(wú)線網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃內(nèi)容包括()。
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見(jiàn)影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開(kāi)關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
對(duì)于FDD-LTE,每個(gè)子幀最多只有一個(gè)PRACH資源。
LTE的SON功能,包括自配置、自?xún)?yōu)化、自規(guī)劃。
LTE的規(guī)劃包括()。
VoLTE路測(cè)時(shí)的呼叫時(shí)長(zhǎng)設(shè)置要求是90秒。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。