A、DwPTS
B、GP
C、UpPTS
D、CP
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你可能感興趣的試題
A、EMM-DEREGISTERED
B、EMM-REGISTERED
C、ECM-IDLE
D、ECM-CONNECTED
A、RRC_IDLE
B、RRC_CONNECTED
C、RRC_Disconnect
D、RRC_Connection Request
A、耦合器
B、功分器
C、天線
D、合路器
A、話務統(tǒng)計數(shù)據(jù)
B、DT/CQT數(shù)據(jù)
C、用戶申訴數(shù)據(jù)
D、信令跟蹤數(shù)據(jù)
A、發(fā)射功率
B、覆蓋半徑
C、干擾水平
D、基站接收靈敏度
A、直射波
B、反射波
C、繞射波
D、散射波
A、測試準備
B、數(shù)據(jù)采集
C、問題分析及定位
D、優(yōu)化調(diào)整及驗證
A、高架橋或者高層建筑
B、城中村
C、十字路口
D、水面、橋面
A、PRACH
B、PUSCH
C、PUCCH
D、PCIFCH
A、加擾
B、交織
C、波束賦形
D、IRC
最新試題
對于FDD-LTE,每個子幀最多只有一個PRACH資源。
用以測試駐波的儀器是(),一般駐波比小于()為正常。
LTE無線基站智能關(guān)斷技術(shù)包含∶()。
CAT5的UE不支持上行64QAM調(diào)制方式。
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
VoLTE語音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
由于同頻干擾兩個信號落在了同一段頻譜上,所以通過頻譜圖很難發(fā)現(xiàn)問題,此時可通過門控掃描的方式解決。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
直放站增益設置時,為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
VolTE呼叫建立時延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對呼叫建立時延有較大影響。