A.絨球小結(jié)葉
B.球狀核
C.栓狀核
D.頂核
E.小腦蚓
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A.顴弓中點(diǎn)下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項(xiàng)部
A.顴弓中點(diǎn)下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項(xiàng)部
A.顴弓中點(diǎn)下緣乙狀切跡處
B.枕外粗隆外下左右1.5cm處左右
C.乳突與枕外粗隆連線上方2cm處
D.外耳道孔送入接觸到鼓膜
E.咽穹窿項(xiàng)部
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.單眼P100絕對(duì)潛伏期延長(zhǎng)
B.雙眼P100潛伏期延長(zhǎng),程度相近
C.雙眼VEP波幅非常低
D.VEP波幅增高
E.雙顳側(cè)半野刺激VEP完全消失
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15~20分鐘
D.>3分鐘
E.5分鐘
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15~20分鐘
D.>3分鐘
E.5分鐘
A.3分鐘
B.1分鐘
C.15~20分鐘
D.>3分鐘
E.5分鐘
A.1.0mA
B.5.0mA
C.15mA
D.50mA
E.100mA
最新試題
關(guān)于非驚厥性癲癇發(fā)作,正確的是()。
腦膿腫的腦電圖可見(jiàn)()。
全面強(qiáng)直陣攣發(fā)作持續(xù)時(shí)間約為()。
肌陣攣失神發(fā)作時(shí)腦電圖特征為()。
尖波的電生理學(xué)特征不包括()。
睡眠潛伏期的腦電圖特點(diǎn)是()。
皮質(zhì)發(fā)育不良發(fā)作期最易出現(xiàn)的節(jié)律是()。
慢棘慢復(fù)合波的發(fā)放頻率通常是指()。
關(guān)于發(fā)作間歇期的癇樣放電,錯(cuò)誤的是()。
顳葉海馬硬化患者發(fā)作期頭皮腦電圖最易出現(xiàn)的節(jié)律是()。