A.不需要考慮源的自吸收
B.厚樣品在實際中很少見
C.樣品厚度達到一定值后,再增大其厚度,測量的活度基本不變
D.樣品不同位置薄層中的α粒子出射的概率是一樣的
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A.探測腔室一般要抽真空
B.為提高探測效率,α源要盡可能貼近探測器
C.源發(fā)射α粒子是各向同性的
D.一般可以作為點源處理
A.由于吸收作用,探測器的窗對活度測量會有影響
B.α源與探測器間的空氣也會影響測量的活度結(jié)果
C.對于β射線的測量,散射情況一般需要考慮
D.由于反散射的影響,需要用高Z材料做β源托,降低反散射
A.點源情況下的源的形狀
B.探測器的種類
C.探測器的大小尺寸
D.入射粒子的種類
A.放射源一般都比較小,所以都可以看做點源
B.只有源的直徑遠小于探測器距源的距離時才可以將其看做點源
C.只有源的直徑遠小于探測器敏感體積的尺寸時才可以將其看做點源
D.非點源情況下,無法用解析的方法計算探測效率
A.測量開始的時間
B.探測器本征探測效率
C.環(huán)境本底的計數(shù)率
D.源與探測器幾何位置關系
A.相對法需要一個已知活度的源作參照
B.使用相對法測量更加簡便,所以是活度測量的基本方法
C.絕對法復雜一些,要結(jié)合各種實際的情況因素進行考慮
D.為保證結(jié)果的精確性,使用絕對法測量時可以多次測量進行分析
A.源的活度和能量是常見的輻射探測目標
B.測量源的位置與遠近距離可以用在輻射成像等領域上
C.暫時無法通過測量的信息分析入射粒子的種類
D.可以測量粒子的飛行時間
A.HPGe和Ge(Li)用于組成γ譜儀,Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測
B.Si(Li)探測器可以作低能量的γ射線和X射線測量
C.Si(Li)探測器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測,因為它原子序數(shù)低,反散射小
D.Si(Li)探測器也適合測量高能γ射線
A.電流脈沖寬度約為μs量級
B.反符合技術(shù)有助于提高探測器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測器的相對探測效率約為19%
D.能量線性很好
A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開方,求總體效應
B.載流子統(tǒng)計漲落、漏電流和噪聲均會造成探測器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應
D.載流子由于陷阱效應帶來的漲落可以通過適當提高偏置電壓減小
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