問(wèn)答題GTR、P-MOSFET、IGBT吸收電路的基本結(jié)構(gòu)如何?其減少被保護(hù)器件開(kāi)關(guān)損耗的機(jī)理如何?
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2.問(wèn)答題GTR、P-MOSFET、IGBT使用中,電流定額選擇中各要注意什么?
4.問(wèn)答題
下圖中①~⑨各保護(hù)元件及VDF、Ld的名稱及作用。
8.問(wèn)答題什么是IGBT的擎住現(xiàn)象?使用中如何避免?
9.問(wèn)答題IGBT有哪些突出優(yōu)點(diǎn)?
10.問(wèn)答題描述GTR的二次擊穿特性。
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異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
題型:判斷題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型:判斷題
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
題型:多項(xiàng)選擇題
反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來(lái)表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。
題型:判斷題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。
題型:判斷題
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
全加器的輸出信號(hào)是()
題型:多項(xiàng)選擇題
本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題