單項(xiàng)選擇題相鄰兩陣點(diǎn)之間的距離稱為()。

A.晶胞參數(shù)
B.晶格參數(shù)
C.點(diǎn)陣參數(shù)
D.陣點(diǎn)參數(shù)


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2.單項(xiàng)選擇題構(gòu)成點(diǎn)陣的幾何點(diǎn)稱為()。

A.結(jié)構(gòu)基元
B.布拉威格子
C.陣點(diǎn)
D.全同點(diǎn)

3.單項(xiàng)選擇題晶體結(jié)構(gòu)中重復(fù)的大小與方向稱為()。

A.結(jié)構(gòu)基元
B.點(diǎn)陣
C.陣點(diǎn)
D.布拉威格子

4.多項(xiàng)選擇題晶體包括()和()。

A.單晶
B.準(zhǔn)晶
C.多晶
D.液晶

5.多項(xiàng)選擇題點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)理論是基于晶體的()和()提出的。

A.各向異性
B.自范性
C.均勻性
D.對(duì)稱性

7.單項(xiàng)選擇題液晶狀態(tài)的物質(zhì)具有()的特征。

A.各向同性
B.各向異性
C.自范性
D.對(duì)稱性

9.單項(xiàng)選擇題“形態(tài)晶體學(xué)”指的是哪種晶體結(jié)構(gòu)理論?()

A.浩羽晶體構(gòu)造理論
B.惠更斯理論
C.點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)理論
D.布拉格理論

10.單項(xiàng)選擇題

金屬銅的堆積方式為如圖中的()

A.A
B.B
C.C
D.D