多項(xiàng)選擇題關(guān)于TTL電路與CMOS電路性能的比較,()說法是正確的。 

A.TTL電路輸入端接高電平時(shí)有電流輸入
B.CMOS電路輸入端接高電平時(shí)有電流輸入
C.CMOS電路輸入端允許懸空,相當(dāng)于輸入高電平
D.TTL電路輸入端允許懸空,相當(dāng)于輸入高電平
E.TTL電路輸入端允許懸空,相當(dāng)于輸入低電平


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1.多項(xiàng)選擇題CMOS電路具有()的優(yōu)點(diǎn)。 

A.輸出的高電平是電源電壓、低電平是0
B.門坎電平約為電源電壓的1/2
C.門坎電平約為電源電壓
D.電源電壓使用時(shí)較為靈活
E.門坎電平約為1.4V

2.多項(xiàng)選擇題COMS非門在靜態(tài)時(shí),電路的一對管子VN和VP總是()。     

A.兩個(gè)均截止
B.兩個(gè)均導(dǎo)通
C.一個(gè)截止
D.一個(gè)導(dǎo)通
E.兩個(gè)均導(dǎo)通或兩個(gè)均截止

3.多項(xiàng)選擇題按照導(dǎo)電溝道的不同,MOS管可分為()。

A.NMOS
B.PMOS
C.CMOS
D.DMOS
E.SMOS

4.多項(xiàng)選擇題對于TTL與非門閑置輸入端的處理,可以()。

A.接電源
B.通過電阻3kΩ接電源
C.接地
D.與有用輸入端并聯(lián)
E.接0V

5.多項(xiàng)選擇題OC門輸出端的公共集電極電阻的大小必須選擇恰當(dāng),因?yàn)椋ǎ?#8194;

A.RC過大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的高電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
B.RC過大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降
C.RC過小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較大的灌電流
D.RC過小則輸出低電平時(shí)將產(chǎn)生較小的灌電流
E.RC很大則帶拉電流負(fù)載時(shí)輸出的低電平將會(huì)在RC上產(chǎn)生較大的壓降

6.多項(xiàng)選擇題三態(tài)門的輸出狀態(tài)共有()。     

A.高電平
B.低電平
C.零電平
D.高阻
E.低阻

7.多項(xiàng)選擇題下列說法錯(cuò)誤的是()。 

A.雙極型數(shù)字集成門電路是以場效應(yīng)管為基本器件構(gòu)成的集成電路
B.TTL邏輯門電路是以晶體管為基本器件構(gòu)成的集成電路
C.CMOS集成門電路集成度高,但功耗較高
D.CMOS集成門電路集成度高,但功耗較低
E.TTL集成門電路集成度高,但功耗較低

8.多項(xiàng)選擇題()式是四變量A,B,C,D的最小項(xiàng)。

A.ABC
B.A+B+C+D
C.ABCD
D.A/BCD
E.ABD

10.多項(xiàng)選擇題下列說法正確的是()。

A.AB=BA
B.A+B=B+A
C.AA=A
D.AA=A2
E.A+A=2A

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