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單項(xiàng)選擇題功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，功率增益高，是一種（）控制器件。

A、電壓
B、電流
C、功率

1.單項(xiàng)選擇題G.652光纖波長(zhǎng)區(qū)在1530-1565nm，衰減常數(shù)技術(shù)指標(biāo)（）dB/km。

A、0.28
B、0.25
C、0.35
D、0.50

2.單項(xiàng)選擇題目前高頻開(kāi)關(guān)整流器采用的高頻功率開(kāi)關(guān)器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及兩者混合管和（）等等。

A、晶閘管
B、可控硅
C、功率集成器件
D、晶體管

3.單項(xiàng)選擇題G.655光纖波長(zhǎng)區(qū)在1530-1565nm，衰減常數(shù)技術(shù)指標(biāo)（）dB/km。

A、0.50
B、0.35
C、0.25
D、0.2

4.單項(xiàng)選擇題模塊的限流值應(yīng)該在（）Ie之間可以連續(xù)可調(diào)。

A、0％～100％
B、50％～100％
C、30％～110％

5.單項(xiàng)選擇題高頻開(kāi)關(guān)電源采用脈寬調(diào)制（PWM）方式，其開(kāi)關(guān)頻率一般在30—500KHz范圍內(nèi)，如果開(kāi)關(guān)頻率再提高，就會(huì)（）。

A、對(duì)外發(fā)射，影響通信設(shè)備
B、兩組開(kāi)關(guān)管來(lái)不及相互轉(zhuǎn)換
C、開(kāi)關(guān)損耗隨之增加，效率反而下降

6.填空題光纜交接箱既然是一種（），那么對(duì)它最根本的要求就是能夠抵受劇變的氣候和（）的工作環(huán)境。

7.填空題光交接箱工程資料：需有完整的工程竣工文本（）；（）；（）。

8.填空題光交箱底座與箱體、管道應(yīng)有密封與防潮措施。底座建議安裝高度為（），增加（）和防水淹能力.

9.判斷題光纜熔接完畢或跳纖完成后，應(yīng)時(shí)填寫(xiě)相關(guān)的記錄。

10.判斷題光交箱工程完工自檢合格后，需填寫(xiě)生產(chǎn)任務(wù)工單，工單需抄送動(dòng)力中心代維組、傳輸中心管線(xiàn)組、工程部管線(xiàn)班、監(jiān)理公司。