單項(xiàng)選擇題在實(shí)際使用中通常為隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器RAM提供(),以免數(shù)據(jù)丟失

A、備用RAM
B、硬盤備份數(shù)據(jù)
C、資料備份
D、掉電保護(hù)電路


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

3.單項(xiàng)選擇題()是用D型觸發(fā)器來存儲(chǔ)寫入的內(nèi)容,除非寫入新的內(nèi)容或電源關(guān)斷,它的內(nèi)容可以保持不變

A、靜態(tài)RAM
B、動(dòng)態(tài)RAM
C、靜態(tài)ROM
D、靜態(tài)ROM

4.單項(xiàng)選擇題隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器分為()

A、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)ROM
B、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)ROM
C、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)RAM
D、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM

5.單項(xiàng)選擇題EEPROM是電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的縮寫,它的內(nèi)容也由用戶寫入,()

A、是用戶用編程器一次性寫入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫入
C、在寫入新的內(nèi)容時(shí),原來的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫入
D、在其制造過程中確定,不允許再改變

6.單項(xiàng)選擇題PROM是可編程只讀存儲(chǔ)器的縮寫,它的內(nèi)容()

A、是用戶用編程器一次性寫入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫入
C、在寫入新的內(nèi)容時(shí),原來的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫入
D、在其制造過程中確定,不允許再改變

7.單項(xiàng)選擇題ROM又稱掩膜只讀存儲(chǔ)器,它存儲(chǔ)的內(nèi)容()

A、是用戶用編程器一次性寫入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫入
C、在寫入新的內(nèi)容時(shí),原來的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫入
D、在其制造過程中確定,不允許再改變

8.單項(xiàng)選擇題()按照其編程方式不同,可分為ROM、PROM、EPROM、EEPROM等

A、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器
C、只讀存儲(chǔ)器
D、系統(tǒng)存儲(chǔ)器

9.單項(xiàng)選擇題()在使用過程中能隨時(shí)取出和存儲(chǔ)

A、只讀存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器
C、ROM
D、EPROM

10.單項(xiàng)選擇題()在使用過程中只能取出不能存儲(chǔ)

A、只讀存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器
C、RAM
D、程序存儲(chǔ)器

最新試題

加到系統(tǒng)上的干擾信號(hào)(干擾量),由原來數(shù)值()到另一數(shù)值上,并繼續(xù)保持此值不變,這就是階躍干擾

題型:單項(xiàng)選擇題

作為直接控制用的電磁閥多用在操作不方便處的排污或放空,這時(shí)電磁閥直接接在工藝管道上,一般為()左右

題型:單項(xiàng)選擇題

電子管示波器顯示波形較模糊應(yīng)首先檢查()

題型:單項(xiàng)選擇題

露點(diǎn)分析儀的傳感器包含一個(gè)表面鍍()的惰性()反射鏡

題型:單項(xiàng)選擇題

由于被分析氣體的千差萬別和分析原理的多種多樣,氣體分析儀的種類繁多常用的有()

題型:單項(xiàng)選擇題

流量特性在開度較小時(shí)就有較大流量,隨著開度的增大,流量很快就達(dá)到最大,此后再增加開度,流量變化很小,此特性稱為()

題型:單項(xiàng)選擇題

安裝完畢的供氣管路,其管道、管件均要進(jìn)行強(qiáng)度試驗(yàn),試驗(yàn)壓力為操作壓力的()倍

題型:單項(xiàng)選擇題

SYY-II型溶氧儀運(yùn)行正常后,一般使用(),校下儀表靈敏度

題型:單項(xiàng)選擇題

輕伴熱是使伴熱管與被伴導(dǎo)壓管之間有一間隔,大約()mm左右

題型:單項(xiàng)選擇題

極譜分析溶氧儀讀數(shù)反常地高,無調(diào)節(jié)能力,分析其原因可能是()

題型:單項(xiàng)選擇題