A、冷凍時間不應(yīng)少于4h
B、融化時間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時間不應(yīng)少于8h
D、融化時間不應(yīng)少于8h
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A、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為（18～20）℃的水，加水時間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水，加水時間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi)，水溫不低于10℃，且在30min后水溫能保持在（18～20）℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級時為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中，最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法