A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
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A、漂移
B、隧道
C、擴散
A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小
A.漂移遷移率
B.電導遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導性
C.電流放大性
D.絕緣性
A.光子效應
B.霍爾效應
C.熱電效應
D.壓電效應
最新試題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）