A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進行計算與結(jié)果確定
B、按選項A處理后,當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值與中間值之差超過1%時,取中間值作為測定值
C、按選項A處理后,當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時,取中間值作為測定值
D、按選項A處理后,當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時,試驗結(jié)果無效
A、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取其余2個測值的算術(shù)平均值為強度測定值
B、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取中間值為強度測定值
C、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,取中間值為強度測定值
D、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,強度試驗結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時間不應(yīng)少于4h
B、融化時間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時間不應(yīng)少于8h
D、融化時間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()