A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
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A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細砂
D.無膜雙面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個
D.不透水性150×150mm,3個
A.最大拉力單位為N/50mm,對應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率,計算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對于整個試驗應(yīng)準備五個試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為(100±1)mm×(100±1)mm
D、試件在試驗前至少在(23±2)℃和相對濕度30%~70%的條件下放置20h
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()