A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
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A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無(wú)膜雙面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個(gè)
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個(gè)
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個(gè)
D.不透水性150×150mm,3個(gè)
A.最大拉力單位為N/50mm,對(duì)應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個(gè)方向5個(gè)試件的拉力值和延伸率,計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對(duì)于整個(gè)試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個(gè)試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為(100±1)mm×(100±1)mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在(23±2)℃和相對(duì)濕度30%~70%的條件下放置20h
A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()